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High Voltage MOSFET
N-Channel, Enhancement Mode
IXTU 01N100
IXTY 01N100
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000 V
= 100mA
= 80 Ω
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-251 AA (IXTU)
01N100
V DSS
T J = 25°C to 150°C
1000
V
V DGR
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1 M Ω
1000
V
G
V GS
V GSM
Continuous
Transient
±20
±30
V
V
D
S
D (TAB)
I D25
T C = 25°C; T J = 25°C to 150°C
100
mA
I DM
P D
T C = 25°C, pulse width limited by max. T J
T C = 25°C
400
25
mA
W
TO-252 AA (IXTY)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
G
S
D (TAB)
T L
Weight
1.6 mm (0.063 in) from case for 5 s
300
0.8
°C
g
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Features
International standard packages
JEDEC TO-251 AA, TO-252 AA
V DSS
V GS = 0 V, I D = 25 μ A
1000
V
Low R DS (on) HDMOS TM process
V
Rugged polysilicon gate cell structure
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V GS = ±20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25°C
T J = 125°C
2
4.5
±50
10
200
V
nA
μ A
μ A
Fast switching times
Applications
Level shifting
Triggers
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I D25
Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2 %
60
80
Ω
Solid state relays
Current regulators
? 2005 IXYS All rights reserved
98812D (09/05)
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